| 描述 | MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.4 毫欧 @ 19A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 52 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3165 pF @ 15 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | - | 工作温度 | - |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-MLP（3.3x3.3） |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
【Fairchild Semiconductor】FDMC2512SDC,MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN
【Fairchild Semiconductor】FDMC2514SDC,MOSFET N-CH 25V 40A POWER33
【Fairchild Semiconductor】FDMC2523P,MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ
【Fairchild Semiconductor】FDMC2610,MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8
【Fairchild Semiconductor】FDMC2674,MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP