| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8-PQFN | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.3 毫欧 @ 30A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 94nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5860pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 2.4W | 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * | 供应商设备封装 | * |
| 包装 | * |
