描述 | MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 19A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 4.4 毫欧 @ 19A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 52nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3165pF @ 15V |
功率 - 最大 | 2.4W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | MLP(3.3x3.3) |
包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FDMC8030,MOSFET N-CH 40V DUAL 8-MLP
【Fairchild Semiconductor】FDMC8200,MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33
【Fairchild Semiconductor】FDMC8200_F128,MOSFET Dual N-CH 30V 12A
【Fairchild Semiconductor】FDMC8200S,MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP
【Fairchild Semiconductor】FDMC8296,MOSFET N-CH 30V 12A POWER33