描述 | MOSFET N/P-CH 100V DUAL 12-MLP | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 100V,80V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.4A,2.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 110 毫欧 @ 3A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 5nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 210pF @ 50V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 12-WDFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | * |
包装 | 带卷 (TR) |