| 描述 | MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3 | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.5A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 125 毫欧 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 182pF @ 15V | 功率 - 最大 | 460mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | 3-SSOT | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDN358PTR |
【Fairchild Semiconductor】FDN359AN,MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3
【Fairchild Semiconductor】FDN359BN,MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDN359BN_F095,MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
【Fairchild Semiconductor】FDN361AN,MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3
【Fairchild Semiconductor】FDN361BN,MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3
