| 描述 | MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 46 毫欧 @ 2.7A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 7nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 650pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 460mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | 3-SSOT |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDN359BN-NDFDN359BNFSTR |
【Fairchild Semiconductor】FDN359BN_F095,MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
【Fairchild Semiconductor】FDN361AN,MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3
【Fairchild Semiconductor】FDN361BN,MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3
【Fairchild Semiconductor】FDN371N,MOSFET N-CH 20V 2.5A SSOT-3
【Fairchild Semiconductor】FDN372S,MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3
【Fairchild Semiconductor】FDN372S_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench