您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > fdn371n
  • FDN371N

FDN371N

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 20V 2.5A SSOT-3FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 2.5A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs10.7nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds815pF @ 10V
功率 - 最大460mW安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商设备封装3-SSOT
包装带卷 (TR)

fdn371n的相关型号: