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  • FDN5630

FDN5630

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.13547
  • 6000$0.12726
  • 15000$0.11905
  • 30000$0.10919
  • 75000$0.10509
描述MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.7A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 1.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds400pF @ 15V功率 - 最大460mW
安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装3-SSOT包装带卷 (TR)
其它名称FDN5630TR

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