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  • FDN372S

FDN372S

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.6A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 2.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs8.1nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds630pF @ 15V功率 - 最大460mW
安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装3-SSOT包装带卷 (TR)

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