您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > fdn358p_q

FDN358P_Q

描述MOSFET SSOT-3 P-CH -30V漏极连续电流- 1.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.125 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SSOT-3封装Reel
下降时间13 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)3.5 S
最小工作温度- 55 C功率耗散0.5 W
上升时间13 ns典型关闭延迟时间12 ns

fdn358p_q的相关型号: