| 描述 | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.3 毫欧 @ 100A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 144 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10965 pF @ 40 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 263W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
【Fairchild Semiconductor】FDP036N10A,MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
【Fairchild Semiconductor】FDP038AN06A0,MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP038AN06A0_Q,MOSFET 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V
【Fairchild Semiconductor】FDP040N06,MOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm
【Fairchild Semiconductor】FDP045N10A,MSOFET N-CH 100V TO-220-3
