| 描述 | LDO REGULATOR, ULTRA-LOW NOISE, | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.9A（Ta），62A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 13.5 毫欧 @ 62A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 29 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1350 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 115W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
【Fairchild Semiconductor】FDP14AN06LA0,MOSFET N-CH 60V 67A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP14AN06LA0_Q,MOSFET Single N-Ch 60V Power Trench
【Fairchild Semiconductor】FDP14N60,MOSFET 14a 600V N-Ch SPMS 0.490 Ohm
【Fairchild Semiconductor】FDP150N10,MOSFET N-CH 100V 57A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FDP150N10A,MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3
