| 描述 | MOSFET N-CH 330V TO220-3 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 330 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | - | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | - | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | Vgs（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | - | 工作温度 | - |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
【Fairchild Semiconductor】FDP3632,MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP3632_Q,MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
【Fairchild Semiconductor】FDP3651U,MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP3652,MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP3652_Q,MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm
【Fairchild Semiconductor】FDP3672,MOSFET N-CH 105V 41A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP3682,MOSFET N-CH 100V 32A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP3682_Q,MOSFET 100V 32a .36Ohm/VGS=1V
