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FDR8508P

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH 30V 3A SSOT-8FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C52 毫欧 @ 3A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds750pF @ 15V
功率 - 最大800mW安装类型表面贴装
封装/外壳8-SSOT,SuperSOT-8供应商设备封装8-SSOT
包装带卷 (TR)

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