| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 128 毫欧 @ 3A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1292pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 1.8W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDS2170N7TRFDS2170N7_NLFDS2170N7_NLTRFDS2170N7_NLTR-ND |
【Fairchild Semiconductor】FDS2572,MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS2572_Q,MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench
【Fairchild Semiconductor】FDS2582,MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS2582_Q,MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V
【Fairchild Semiconductor】FDS2672,MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS2672_F085,MOSFET 200V3.9A 70OHMNCH ULTRAFET TRENCH