| 描述 | MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 13 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 56nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4350pF @ 20V | 功率 - 最大 | 1.2W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDS4675-NDFDS4675TR |
【Fairchild Semiconductor】FDS4675_F085,MOSFET P-CH 40V 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS4770,MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS4770_Q,MOSFET 40V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDS4780,MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS4885C,MOSFET N/P-CH DUAL 40V 8SOIC