描述 | MOSFET P-CH 40V 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 40V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 13 毫欧 @ 11A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 56nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4350pF @ 20V |
功率 - 最大 | 1.2W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDS4675_F085TR |
【Fairchild Semiconductor】FDS4770,MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS4770_Q,MOSFET 40V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDS4780,MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS4885C,MOSFET N/P-CH DUAL 40V 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS4897AC,MOSFET N/P-CH 40V 6.1/5.2A SO8