| 描述 | MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 9.3 毫欧 @ 13A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 96nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3845pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDS6679AZTR |
【Fairchild Semiconductor】FDS6680,MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6680_L99Z,MOSFET N-Channel PWM Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDS6680A,MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6680A_Q,MOSFET SO-8 SGL N-CH 30V
【Fairchild Semiconductor】FDS6680AS,MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6680S,MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6680S_D84Z,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench