| 描述 | MOSFET N-Channel PWM Logic Level | 漏极连续电流 | 11.5 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.01 Ohms | 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 13 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2.5 W | 上升时间 | 10 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 | 典型关闭延迟时间 | 36 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDS6680A,MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6680A_Q,MOSFET SO-8 SGL N-CH 30V
【Fairchild Semiconductor】FDS6680AS,MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6680S,MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6680S_D84Z,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
