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  • FDS6993

FDS6993

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH DUAL 30/12V 8SOICFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V,12V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.3A,6.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C55 毫欧 @ 4.3A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs7.7nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds530pF @ 15V
功率 - 最大900mW安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOICN
包装带卷 (TR)

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