描述 | MOSFET N-CH DUAL 40V 6A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 40V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 29 毫欧 @ 6A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 11nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 955pF @ 20V |
功率 - 最大 | 900mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDS8949TR |
【Fairchild Semiconductor】FDS8949_F085,MOSFET N-CH 40V DUAL 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8958,MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8958A,MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8958A_F085,MOSFET N/P-CH 30V DUAL 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8958A_NF073,MOSFET DUAL NCH AND PCH POWER TRENCH MOSFET
【Fairchild Semiconductor】FDS8958A_Q,MOSFET SO8 COMP N-P-CH T/R