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  • FDS8949_F085

FDS8949_F085

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.6006
  • 5000$0.57057
  • 12500$0.54912
  • 25000$0.53196
  • 62500$0.5148
描述MOSFET N-CH 40V DUAL 8-SOICFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)40V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C29 毫欧 @ 6A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds955pF @ 20V
功率 - 最大900mW安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO
包装带卷 (TR)其它名称FDS8949_F085TR

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