| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V TRENCH 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.4A，4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 26 毫欧 @ 6.4A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 540pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 900mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDS8958BTR |
【Fairchild Semiconductor】FDS8960C,MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8962C,MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8978,MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8978_F123,MOSFET 30V N-CHAN 7.5A
【Fairchild Semiconductor】FDS8984,MOSFET N-CHAN 30V 7A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8984_F085,MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8984_F123,MOSFET 30V N-CHAN 7A 23mOhm
