| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.4A，4.5A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 26 毫欧 @ 6.4A，10V，51 毫欧 @ 4.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 5.8nC @ 4.5V，9.6nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 540pF @ 15V，760pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 900mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
【Fairchild Semiconductor】FDS8960C,MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8962C,MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8978,MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8978_F123,MOSFET 30V N-CHAN 7.5A
【Fairchild Semiconductor】FDS8984,MOSFET N-CHAN 30V 7A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8984_F085,MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8984_F123,MOSFET 30V N-CHAN 7A 23mOhm
