您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > fds8958a
  • FDS8958A

FDS8958A

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.28928
  • 5000$0.26933
  • 12500$0.25935
  • 25000$0.24938
  • 62500$0.24538
描述MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOICFET 型N 和 P 沟道
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7A,5A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds575pF @ 15V功率 - 最大900mW
安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOICN包装带卷 (TR)
其它名称FDS8958ATRFDS8958A_NL

fds8958a的相关型号: