描述 | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC | FET 型 | N 和 P 沟道 |
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FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7A,5A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 28 毫欧 @ 7A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 16nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 575pF @ 15V | 功率 - 最大 | 900mW |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | FDS8958ATRFDS8958A_NL |
【Fairchild Semiconductor】FDS8958A_F085,MOSFET N/P-CH 30V DUAL 8-SOIC
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【Fairchild Semiconductor】FDS8960C,MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8962C,MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC