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  • FDS9953A

FDS9953A

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.31364
  • 5000$0.29201
  • 12500$0.28119
  • 25000$0.27038
  • 62500$0.26605
描述MOSFET P-CH DUAL 30V 2.9A 8SOICFET 型2 个 P 沟道(双)
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.9A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫欧 @ 1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs3.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds185pF @ 15V功率 - 最大900mW
安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SO包装带卷 (TR)
其它名称FDS9953A-NDFDS9953ATR

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