| 描述 | MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 46 毫欧 @ 11A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 10nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1130pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 8.9W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA | 供应商设备封装 | SOT-223-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDT55AN06LA0TR |
【Fairchild Semiconductor】FDT86102LZ,MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】FDT86106LZ,MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】FDT86113LZ,MOSFET N-CH 100V DUAL LL SOT-223
【Fairchild Semiconductor】FDT86244,MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】FDT86246,MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】FDT86256,MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4
