描述 | MOSFET N-CH 30V 12A IPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
---|---|---|---|
漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 10 毫欧 @ 12A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1230pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.5W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA | 供应商设备封装 | I-Pak |
包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FDU6680A,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDU6680A_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDU6682,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDU6682_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDU6688_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDU6692,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDU6692_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench