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  • FDU6680

FDU6680

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 30V 12A IPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 12A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds1230pF @ 15V
功率 - 最大1.5W安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA供应商设备封装I-Pak
包装管件

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