| 描述 | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.0095 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-251 |
| 封装 | Tube | 下降时间 | 13 ns |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 56 S | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2.8 W | 上升时间 | 9 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDU6682,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDU6682_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDU6688_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDU6692,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDU6692_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDU6696,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDU6696_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench