| 描述 | MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 25V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 120mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 10 欧姆 @ 200mA，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 0.31nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 11pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 350mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | SOT-23 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDV302P_NB8V001-NDFDV302P_NB8V001TR |
【Fairchild Semiconductor】FDV303N,MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】FDV303N_NB9U008,MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】FDV304P,MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】FDV304P_D87Z,MOSFET P-CH 25V 0.46A SOT-23
【Fairchild Semiconductor】FDV304P_NB8U003,MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23