| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 85 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 800pF @ 10V | 功率 - 最大 | 900mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-UFBGA，WLCSP |
| 供应商设备封装 | 6-WLCSP | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDZ191PTR |
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出业界封装最小的p沟道mosfet器件fdz191p，可为各种低压(<20v)便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括：移动电话、数码相机、mp3播放器、医疗设备，以及其它智能化，小型化的便携式产品。 飞兆半导体的fdz191p器件的性能优于市场上大部分专为低压应用而设计的功率mosfet。fdz191p作为powertrench mosfet，采用了飞兆半导体最新的晶圆级芯片尺寸封装(wl-csp)，因而具有出色的热阻(83℃/w)和低rds(on)(4.5v时为67mω)。fdz191p具有超小型(1.0mmx1.5mmx0.65mm)封装，与同类器件相比能节省至少30%的线路板空间，而且最大的封装高度仅为0.65mm，使其非常适用于高密度产品和超薄型消费电子产品的设计。fdz191p还能够工作于1.5v的低电压，这在功率管理设计中是一个重要的特性。此外，fdz191p还满足全球电子产品应用要求的所有"绿色"和rohs ...
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