| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 64 毫欧 @ 2A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 25nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1570pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 900mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UFBGA，WLCSP | 供应商设备封装 | 6-WLCSP |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDZ197PZTR |
日前，飞兆半导体公司 (farichild semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一p沟道mosfet器件fdz197pz，能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。fdz197pz在vgs= 4.5v时提供64mohm之rds(on) 值，较同类解决方案低15%，且占位面积仅为1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同时减少了电路板空间需求。该器件采用wl-csp封装，比占位面积相似的传统塑料封装mosfet具有更佳功耗和传导损耗特性。fdz197pz具有比其它的同级mosfet器件更强大的静电放电(esd)保护功能(4kv)，能够保护器件避免可能导致应用失效的esd事件之应力影响。 p沟道mosfet器件fdz197pz采用飞兆半导体性能先进的powertrench mosfet工艺技术制造，可以达到更低的rds (on) 、更高的负载电流和更小的封装尺寸。这款wl-csp 封装备有6 x 300µm无铅焊球，以用于电路板连接，提供了比其它的wl-csp引脚输出更出色的电气性能和热阻。其安装时封装高度 ...
飞兆半导体公司 (farichild semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一p沟道mosfet器件fdz197pz，能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。fdz197pz在vgs= 4.5v时提供64mohm之rds(on) 值，较同类解决方案低15%，且占位面积仅为1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同时减少了电路板空间需求。该器件采用wl-csp封装，比占位面积相似的传统塑料封装mosfet具有更佳功耗和传导损耗特性。fdz197pz具有比其它的同级mosfet器件更强大的静电放电(esd)保护功能(4kv)，能够保护器件避免可能导致应用失效的esd事件之应力影响。 p沟道mosfet器件fdz197pz采用飞兆半导体性能先进的powertrench? mosfet工艺技术制造，可以达到更低的rds (on) 、更高的负载电流和更小的封装尺寸。这款wl-csp 封装备有6 x 300μm无铅焊球，以用于电路板连接，提供了比其它的wl-csp引脚输出更出色的电气性能和热阻。其安装时封装高度仅为0.65mm，为薄型产品设计 ...
