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FDZ299P_Q

制造商：Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：- 20 V
闸/源击穿电压：+/- 12 V
漏极连续电流：- 4.6 A

产品属性关于Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)

描述	MOSFET 20V/12V PCh MOSFET	电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.055 Ohms
配置	Single Triple Drain Quint Source	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	BGA-9
封装	Reel	下降时间	9 ns
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	1.7 W
上升时间	9 ns	典型关闭延迟时间	23 ns

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