| 描述 | MOSFET N-CH 30V 22A BGA | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 22A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 2.9 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 73nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4993pF @ 15V | 功率 - 最大 | 2.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 36-VFBGA |
| 供应商设备封装 | 36-BGA（5.5x5） | 包装 | 带卷 (TR) |
低开关频率以外，几乎没有别的办法能够减小使这些损耗。一般而言，这类损耗小于电路总损耗的1－3％。可视为二级效应。元件选择 应用本应用的拓扑结构是同步降压转换器，它比其他拓扑可以提供更佳的简化和高效率组合，以及最低的总体成本。图1b所示为在mosfet的栅极和源极具有寄生电感的同步降低转换器。图1a的图形基于扩展的数学模型，表明效率是高端mosfet rds（on）和负载电流的函数。可以看出高端mosfet最佳的rds（on）值在7mω左右。这里选用了fdz7064s作为高端mosfet，以及两个fdz5047n作为同步整流器。表2是它们的规格说明 电感选择为1μh，这样可以把电流纹波限制在易于处理的范围之内。 布局方案 布局应遵循的主要原则是把所有的寄生效应减至最小。具体如下： pcb寄生阻抗以8层2oz铜皮来处理。在bga封装下面采用通孔，使得开关电流从一开始就进行多层分流，从而大幅减小有效地引线阻抗。 mosfet封装寄生阻抗。这里应该选择bga封装，它比so8和dpak等封装要好几个数量级。pcb寄生电感。和前文一样，在bga封装下面采用通孔，使得开关电流从一开始就进行多层分流，从而大幅度减小 ...
【Fairchild Semiconductor】FDZ5047N_Q,MOSFET 30V/20V NCh MOSFET
【Fairchild Semiconductor】FDZ661PZ,MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP
【Fairchild Semiconductor】FDZ663P,MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP
【Fairchild Semiconductor】FDZ7064AS,MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA
【Fairchild Semiconductor】FDZ7064N_Q,MOSFET 30V N-Ch BGa MOSFET Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDZ7064S,MOSFET 30V/12V NCh SYNCFET