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FJN3306RBU_Q

描述Transistors Switching (Resistor Biased) 50V/100mA/10K 47K安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-92-3集电极—发射极最大电压 VCEO50 V
集电极连续电流0.1 A峰值直流集电极电流100 mA
功率耗散0.3 W最大工作温度+ 150 C
封装Bulk最小工作温度- 55 C

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