| 描述 | IC FET N-CHAN SI -20V 1MA TO-92 | 漏极至源极电压(Vdss) | - |
|---|---|---|---|
| 漏极电流 (Id) - 最大 | 1mA | FET 型 | N 沟道 |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 20V | 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id | 600mV @ 1?A |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3.5pF @ 5V | 电阻 - RDS（开） | - |
| 安装类型 | 通孔 | 包装 | 散装 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 | 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 150mW |
【Fairchild Semiconductor】FJN598JBTA,JFET N-CHAN SI 20V 1MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】FJN598JCBU,IC FET N-CHAN SI -20V 1MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】FJN598JCTA,JFET N-CHAN SI 20V 1MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】FJN965BU,TRANSISTOR NPN 20V 5A TO-92
【Fairchild Semiconductor】FJN965TA,TRANSISTOR NPN 20V 5A TO-92
【Fairchild Semiconductor】FJN965TA_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
【Fairchild Semiconductor】FJNS3201RBU,TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92S
【Fairchild Semiconductor】FJNS3201RBU_Q,Transistors Switching (Resistor Biased) 50V/100mA/4.7K 4.7K