| 描述 | TRANSISTOR NPN 30V 3A TO-226 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 3A |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 450mV @ 100mA，1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 250 @ 100mA，2V |
| 功率 - 最大 | 1W | 频率 - 转换 | 100MHz |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 长体 |
| 供应商设备封装 | TO-226 | 包装 | 散装 |
【Fairchild Semiconductor】FPN330A_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor Low Saturation
【Fairchild Semiconductor】FPN430,TRANSISTOR PNP 30V 2A TO-226
【Fairchild Semiconductor】FPN430_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor Low Saturation
【Fairchild Semiconductor】FPN430A,TRANSISTOR PNP 30V 2A TO-226
【Fairchild Semiconductor】FPN430A_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor Low Saturation
【Fairchild Semiconductor】FPN530,TRANSISTOR NPN 30V 3A TO-226
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