| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 600V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 730 毫欧 @ 5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 57nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2040pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 192W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 | 供应商设备封装 | TO-3PN |
| 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FQA10N80,MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA10N80_F109,MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA10N80C,MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA10N80C_F109,MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA11N90,MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA11N90_F109,MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P