| 描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.48 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-3P |
| 下降时间 | 60 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 160 W | 上升时间 | 100 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQA11N90,MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA11N90_F109,MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA11N90C,MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA11N90C_F109,MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA12N60,MOSFET N-CH 600V 12A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA12P20,MOSFET P-CH 200V 12.6A TO-3P