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  • FQA19N20L

FQA19N20L

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 200V 25A TO-3PFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C25A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C140 毫欧 @ 12.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds2200pF @ 25V
功率 - 最大190W安装类型通孔
封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3供应商设备封装TO-3P
包装管件

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