描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.024 Ohms |
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配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-3P |
下降时间 | 95 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 180 W | 上升时间 | 200 ns |
典型关闭延迟时间 | 70 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQA5N90,MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA5N90_F109,MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA62N25C,MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA65N20,MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA6N70,MOSFET N-CH 700V 6.4A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA6N80,MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA6N80_F109,MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P