| 描述 | MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 800V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.95 欧姆 @ 3.15A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1500pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 185W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 | 供应商设备封装 | TO-3P |
| 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FQA6N80_F109,MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA6N90,MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA6N90_F109,MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA6N90C,MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
【Fairchild Semiconductor】FQA6N90C_F109,MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA70N10,MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P