| 描述 | MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series | 漏极连续电流 | 6 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 2.3 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-3P | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 60 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 5.5 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 198 W |
| 上升时间 | 90 ns | 工厂包装数量 | 30 |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns | 零件号别名 | FQA6N90C_NL |
【Fairchild Semiconductor】FQA6N90C_F109,MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA70N10,MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA70N15,MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA7N60,MOSFET N-CH 600V 7.7A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA7N65C,MOSFET N-CH/600V 8.7A/1OHM
【Fairchild Semiconductor】FQA7N80,MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P