描述 | MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 900V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 2.3 欧姆 @ 3A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 5V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1770pF @ 25V |
功率 - 最大 | 198W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 | 供应商设备封装 | TO-3PN |
包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FQA70N10,MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA70N15,MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA7N60,MOSFET N-CH 600V 7.7A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA7N65C,MOSFET N-CH/600V 8.7A/1OHM
【Fairchild Semiconductor】FQA7N80,MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA7N80_F109,MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P