| 描述 | MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 65A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 32 毫欧 @ 32.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 7900pF @ 25V | 功率 - 最大 | 310W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装 | TO-3PN | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | FQA65N20-NDFQA65N20FS |
【Fairchild Semiconductor】FQA6N70,MOSFET N-CH 700V 6.4A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA6N80,MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA6N80_F109,MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA6N90,MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA6N90_F109,MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA6N90C,MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
【Fairchild Semiconductor】FQA6N90C_F109,MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
