| 描述 | MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 10 毫欧 @ 50A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 112nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4120pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 214W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 | 供应商设备封装 | TO-3PN |
| 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FQA8N100C,MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA8N80,MOSFET 800V N-Channel QFET Q-FET
【Fairchild Semiconductor】FQA8N80C,MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA8N80C_F109,MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA8N90C_F109,MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P
