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FQB7N80TM

描述MOSFET漏极连续电流6.6 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)1.5 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体D2PAK封装Reel
下降时间55 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散3.13 W上升时间80 ns
典型关闭延迟时间95 ns

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