描述 | MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK | FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
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FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.3A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 690 毫欧 @ 3.65A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 770pF @ 25V | 功率 - 最大 | 3.13W |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | D?PAK | 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FQB7P20TM_F085,MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB85N06TM_AM002,MOSFET N-CH 60V 85A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB8N25TM,MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB8N60CFTM,MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB8N60CTM,MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB8N60CTM_WS,MOSFET 600V, NCH MOSFET