| 描述 | MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.3A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 690 毫欧 @ 3.65A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 25 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 770 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.13W（Ta），90W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK（TO-263） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
【Fairchild Semiconductor】FQB85N06TM_AM002,MOSFET N-CH 60V 85A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB8N25TM,MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB8N60CFTM,MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB8N60CTM,MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB8N60CTM_WS,MOSFET 600V, NCH MOSFET
【Fairchild Semiconductor】FQB8P10TM,MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
