描述 | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 280 毫欧 @ 4.5A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 21nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1080pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FQD12N20LTM,MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD12N20LTM_F085,MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD12N20TF,MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD12N20TM,MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD12N20TM_F080,MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD12P10TF,MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK